IP65 madala PIM-suunaline sidur JX-DC-575M3800M-4310Fx
Kirjeldus
IP65 madal PIM-suunaline sidur 575-3600MHz JX-DC-575M3800M-4310Fx
5G IP65 madala PIM-suunaline sidur JX-DC-575M3800M-4310Fx on Jingxini müügiks kavandatud ja toodetud üht tüüpi RF passiivsed komponendid, millel on väike sisestuskadu ja väike maht, mõõdetuna PxLxK:136mm x 50mm x 26mm.
Selle siduri sagedus hõlmab 575-3800 MHz sidestusega 5dB、6dB、7dB、10dB、13dB、15dB、20dB、30dB, mis töötab võimsusel 300W,madal pim≤3dB -154dB. Seda sidurit toodetakse 4.3-10/emane pistikutega, kuid mida saab vastavalt nõudlusele ka teistele ümber lülitada. Musta värviga värvimisel peab selline sidur põllul kaua vastu.
Nagu lubatud, on kõikidel Jingxini RF passiivsetel komponentidel 3-aastane garantii.
Parameeter
| Parameeter | Spetsifikatsioon | |||||||
| Sagedusvahemik | 575-3800 MHz | |||||||
| Mudeli number | JX-DC-5 75M3800M-4310F5 | JX-DC-5 75M3800M-4310F6 | JX-DC-5 75M3800M-4310F7 | JX-DC-5 75M3800M-4310F10 | JX-DC-5 75M3800M-4310F13 | JX-DC-5 75M3800M-4310F15 | JX-DC-5 75M3800M-4310F20 | JX-DC-5 75M3800M-4310F30 |
| Sidumine | 5±1,0 dB | 6±1,0 dB | 7±1,0 dB | 10±1,0 dB | 13±1,0 dB | 15±1,0 dB | 20±1,0 dB | 30±1,2 p B |
| Sisestamise kaotus | 2,3 dB | 1,8 dB | 1.3B | 0,8 dB | 0,5 dB | 0,5 dB | 0,4 dB | 0,3 dB |
| VSWR | ≤1,25:1 | |||||||
| Suunatus | 20 dB @ 575-3600 MHz | |||||||
| 18dB @ 3600-3800 MHz | ||||||||
| PIM3 | -155dBc@2x43dBm (mõõdetud peegeldus 900 MHz, 1800 MHz) | |||||||
| Võimsuse reiting | 300W | |||||||
| Takistus | 50Ω | |||||||
| Temperatuurivahemik | -35 kuni +85°C | |||||||
Kohandatud RF passiivsed komponendid
RF passiivsete komponentide tootjana saab Jingxin kujundada erinevaid vastavalt klientide rakendustele.
Ainult 3 sammu RF passiivse komponendi probleemi lahendamiseks
1. Teie poolt parameetri määratlemine.
2. Jingxini kinnitusettepaneku pakkumine.
3. Prototüübi valmistamine Jingxini katsetamiseks.
Ainult 3 sammu RF passiivse komponendi probleemi lahendamiseks
1. Teie poolt parameetri määratlemine.
2. Jingxini kinnitusettepaneku pakkumine.
3. Prototüübi valmistamine Jingxini katsetamiseks.
