5G madala PIM-suunaline sidur JX-PC-575-6000-XCNI
Kirjeldus
IP65 madal PIM-suunaline sidur 575-6000MHz JX-PC-575-6000-XCNI
5G sagedusriba suundsidur JX-PC-575-6000-XCNI on üht tüüpi RF passiivsed komponendid, mille on välja töötanud ja toonud müügiks Jingxin ja millel on väike sisestuskadu, väike maht, mõõdetuna PxLxK: 120,5 mm x 41,6 mm x 23 mm.
Selle siduri sagedus hõlmab 575-3600 MHz sidestusega 5dB、6dB、7dB、8dB、10dB、13dB、15dB、20dB, mis töötab võimsusel 200W, madal pim≤Bc@154dBc@2.54dBc. See sidur on toodetud 4.3/10 naispistikutega, kuid mida saab vastavalt nõudlusele teistele vahetada. Musta värviga värvimisel peab selline sidur põllul kaua vastu.
Nagu lubatud, on kõikidel Jingxini RF passiivsetel komponentidel 3-aastane garantii.
Parameeter
| Parameeter | spec | ||||||||
| Sagedusvahemik | 575-6000 MHz | ||||||||
| Side (dB) | 5±1,1 | 6±1,1 | 7±1,2 | 8±1,2 | 10±1,2 | 13±1,3 | 15±1,35 | 20±1,4 | |
| Suunavus (dB) | 575-2700 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 2700-3800 | 18 | 18 | 20 | 20 | 20 | 18 | 18 | 18 | |
| 3800-4900 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 16 | 16 | 16 | |
| 4900-6000 | 18 | 18 | 16 | 18 | 18 | 13 | 13 | 10 | |
| Sisestamise kaotus | 2.5 | 1.9 | 1.7 | 1.4 | 1.1 | 0.7 | 0.6 | 0.5 | |
| VSWR | ≤1,25:1 (575–3800 MHz), 1,30:1 (3800–6000 MHz) | ||||||||
| Intermodulatsioon | -160 dBc@2x43dBm (PIM väärtus on Reflect @ 900MHz ja 1800MHz) | ||||||||
| Võimsuse reiting | 200W | ||||||||
| Takistus | 50Ω | ||||||||
| Temperatuurivahemik | -35 kuni +85 ℃ | ||||||||
| Rakendused | Sise-/välikasutus, IP65, RoHS-iga ühilduv | ||||||||
Kohandatud RF passiivsed komponendid
RF passiivsete komponentide tootjana saab Jingxin kujundada erinevaid vastavalt klientide rakendustele.
Ainult 3 sammu RF passiivse komponendi probleemi lahendamiseks
1. Teie poolt parameetri määratlemine.
2. Jingxini kinnitusettepaneku pakkumine.
3. Prototüübi valmistamine Jingxini katsetamiseks.
Ainult 3 sammu RF passiivse komponendi probleemi lahendamiseks
1. Teie poolt parameetri määratlemine.
2. Jingxini kinnitusettepaneku pakkumine.
3. Prototüübi valmistamine Jingxini katsetamiseks.
