DC-67GHz एटेन्यूएटर

आइटम नंबर: JX-AT-DC67G-1.85MFx

विशेषताएँ:
- 1.85 पुरुष/महिला कनेक्टर
- DC-67GHz से कवरिंग
- कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध है


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

DC-67GHz एटेन्यूएटर,
एटेन्यूएटर फैक्ट्री,

विवरण

विकल्प के लिए 1/2/3/4/5/6/7/8/9/10/20/30dB के साथ DC-67GHz उच्च आवृत्ति एटेन्यूएटर से संचालन

उच्च आवृत्ति एटेन्यूएटर JX-AT-DC67G-1.85MFx विकल्प के लिए 1/2/3/4/5/6/7/8/9/10/20/30dB के क्षीणन मान के साथ DC-67GHz से संचालित हो रहा है। इसमें 1.45 के वीएसडब्ल्यूआर, 1-2 डीबी के आसपास क्षीणन सटीकता, 1W की पावर हैंडलिंग की सुविधा है। 1.85-महिला और पुरुष द्वारा कनेक्ट होने पर, यह छोटी मात्रा में Φ9 मिमी * 16 मिमी मापता है।

इस तरह के उच्च आवृत्ति एटेन्यूएटर को विशेष रूप से एप्लिकेशन के अनुसार डिज़ाइन किया गया है, जिसे सैन्य और एयरोस्पेस संचार के लिए लागू किया जा सकता है। जैसा कि वादा किया गया था, जिंगक्सिन के सभी आरएफ निष्क्रिय घटकों पर 3 साल की वारंटी है।

पैरामीटर

आवृति सीमा

डीसी-67GHz

मॉडल संख्या

JX-AT-DC67G-1.85MF1

JX-AT-DC67G-1.85MF2

JX-AT-DC67G-1.85MF3

JX-AT-DC67G-1.85MF4

JX-AT-DC67G-1.85 MF5

JX-AT-DC67G-1.85MF6

JX-AT-DC67G-1.85MF7

JX-AT-DC67G-1.85MF8

JX-AT-DC67G-1.85MF9

JX-AT-DC67G-1.85MF10

JX-AT-DC67G-1.85MF20

JX-AT-DC67G-1.85MF30

क्षीणन

1dB

2dB

3डीबी

4dB

5dB

6dB

7dB

8dB

9dB

10dB

20dB

30dB

क्षीणन सटीकता

-1.0/+1.5dB

-1.0/+1.5dB

-1.0/+2.0dB

वीएसडब्ल्यूआर

≤1.45

शक्ति

≤1W

मुक़ाबला

50Ω

तापमान की रेंज

-55°C से +125°C

आयाम

Φ9मिमी*16मिमी

कनेक्टर्स

1.85-महिला से 1.85-पुरुष

इंटरफ़ेस

आईईसी 61169-40 का अनुपालन करें

सहनशीलता

2000 चक्र

आवास

स्टेनलेस स्टील, पॉलिश और निष्क्रिय

केंद्र संचालक

बेरिलियम कॉपर, सोना चढ़ाया हुआ

ढांकता हुआ

तिरछी

कड़े छिलके वाला फल

स्टेनलेस स्टील, पॉलिश और निष्क्रिय

वज़न

3.5 ग्रा

टिप्पणियाँ

सामग्री RoHS 6/6 होगी

कस्टम आरएफ निष्क्रिय घटक

आरएफ निष्क्रिय घटकों के निर्माता के रूप में, जिंगक्सिन ग्राहकों के अनुप्रयोगों के अनुसार विभिन्न डिजाइन कर सकता है।
आरएफ निष्क्रिय घटक की आपकी समस्या को हल करने के लिए केवल 3 कदम
1. आपके द्वारा पैरामीटर को परिभाषित करना।
2. जिंगक्सिन द्वारा पुष्टि के लिए प्रस्ताव पेश करना।
3. जिंगक्सिन द्वारा परीक्षण के लिए प्रोटोटाइप का निर्माण।

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